IPG20N06S4-15 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），封装为TO-252（DPAK），被广泛用于汽车电子、开关电源、马达驱动等领域。以下简要介绍其主要功能、典型应用及核心参数信息，内容精炼，仅供快速参考：
一、产品功能与应用
IPG20N06S4-15 主要作为开关器件，具有导通阻抗低、开关速度快等优点，常见于：
汽车电子（继电器替换，电机控制）
直流-直流转换器（DC-DC）
高效开关电源
电池管理系统
LED 驱动
工业自动化设备
功能特点：
低导通电阻，有效降低功耗及损耗
优良的开关性能，适合高频应用
强抗击穿能力，提高系统安全性
二、关键参数
表格
项目 数值
极性 N 沟道
最大漏极电压 Vds 60V
最大连续漏极电流 Id 20A （环境温度25°C时）
最大功耗 Pd 57W
导通电阻 Rds(on) 15mΩ（Vgs=10V，Id=10A）
栅极-源极电压 Vgs ±20V
典型门电荷 Qg 13nC
封装形式 TO-252（DPAK）
工作温度范围 -55°C ~ 175°C
以上参数仅为主要指标，实际选型请参考官方数据手册。
三、选型及设计提示
耐压：确保Vds高于实际最大输入电压。
电流：选择高于实际峰值电流的Id，考虑温升与散热。
导通阻抗：Rds(on)越小，系统效率越高。
开关频率：门电荷（Qg）与开关损耗直接相关，频率越高越需关注。
应用参考：用于高效能车载模块替代机械继电器、MOSFET H桥、同步整流等环节。
